IGBT 7MBR15NE-120

Описание IGBT модуля 7MBR15NE-120

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнён)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный FRD)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) при 25°C | 15 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | ~10 А (уточнить в даташите) |
| Импульсный ток (I_CP) | 30 А (типовое) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Мощность потерь (P_tot) | ~50–75 Вт (зависит от условий) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.5–1.0 °C/Вт |
| Диапазон температур | -40°C до +150°C (корпус) |
| Корпус | 7MBR-серия (стандартный модуль с изолированным основанием) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi:

• 7MBR15NF-120 (возможный вариант с другими параметрами)
• 7MBR20NE-120 (аналог с большим током, 20 А)
• CM15DY-12H (возможный аналог от других производителей)

Совместимые/альтернативные модели:

• Infineon: FF15R12IE3, FF15R12KT3
• Fuji Electric: 7MBR15SB120
• SEMIKRON: SKM15GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB15N120FL2WG

Примечания:

1. Для точного подбора аналога проверяйте:
   • Распиновку и тип корпуса.
   • Напряжение и токовые характеристики.
   • Наличие встроенного диода.
2. Рекомендуется использовать оригинальный даташит производителя для проверки параметров.

Если нужны дополнительные данные (например, внутренняя структура, графики), уточните — помогу найти!