IGBT 7MBR50SB120B

Описание IGBT модуля 7MBR50SB120B

7MBR50SB120B — это IGBT-модуль производства Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для электродвигателей
• Солнечные инверторы

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + антипараллельный диод |
| Конфигурация | 1-фазный мост (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.85 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 0.3 мкс / 1.2 мкс |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт |
| Макс. температура перехода (T_j) | 150°C |
| Корпус | 7MBR (изолированный) |
| Габариты (мм) | 62 × 108 × 30 |

Совместимые и аналогичные модели

Парт-номера (Fuji Electric)

• 7MBR50SB120 (более старая версия)
• 7MBR50SA120 (аналог с другим корпусом)
• 7MBR50SB120B-1 (модификация с улучшенными параметрами)

Аналоги от других производителей

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120B3

Примечания по замене

При замене модуля 7MBR50SB120B на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Распиновку и крепежные отверстия
• Тепловые параметры (R_th)

Рекомендуется проверять datasheet перед установкой альтернативной модели.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики вольт-амперных характеристик или рекомендации по охлаждению), уточните!