IGBT A50L-0001-0216

Описание IGBT A50L-0001-0216

IGBT A50L-0001-0216 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и промышленной автоматике. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А
• Ток короткого замыкания (I_SC): 100 А (тип.)
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.2 В (при 25°C, I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт
• Корпус: модульный, изолированный (TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• Infineon: IKW50N120T2
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Semikron: SKM50GB128D
• IXYS: IXGH50N120B3

Совместимые модели в схожих корпусах:

• A50L-0001-0217 (версия с улучшенными динамическими параметрами)
• A50L-0001-0220 (аналог с повышенным током до 60 А)

Применение

• Частотные преобразователи (ЧП)
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и сервоуправление
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по току, напряжению и тепловым характеристикам.