IGBT A50L00010419

Описание и технические характеристики IGBT A50L00010419

Описание:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) A50L00010419 – это силовой полупроводниковый компонент, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C), до 100 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 200–300 Вт (в зависимости от условий охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 50–150 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тип корпуса: TO-247 (или аналогичный, уточняется по даташиту)
• Встроенный диод: Да (антипараллельный диод для индуктивных нагрузок)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и альтернативные варианты, которые могут быть совместимы с A50L00010419:

1. IRG4PH50UD (International Rectifier) – 1200V, 45A, TO-247AC
2. FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor) – 1200V, 50A, TO-247
3. IXGH50N120B3 (IXYS) – 1200V, 50A, TO-247
4. HGTG50N120B3 (Microsemi) – 1200V, 50A, TO-247
5. STGW50H120DF (STMicroelectronics) – 1200V, 50A, TO-247

Примечание:
Перед заменой необходимо уточнить распиновку, параметры встроенного диода и тепловые характеристики, так как они могут незначительно отличаться у разных производителей.

Если вам нужен точный даташит или аналоги для конкретного применения, уточните модель оборудования, где используется этот IGBT.