IGBT APT33GF120BRG

Описание IGBT APT33GF120BRG

APT33GF120BRG – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT) от компании Advanced Power Technology (Microsemi/ON Semiconductor). Предназначен для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных приложений. Обладает низкими коммутационными потерями, высокой стойкостью к перегрузкам и хорошей теплопередачей благодаря корпусу TO-247.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 33 А |
| Ток коллектора (I_C при 100°C) | 22 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 33 А, 25°C) |
| Энергия включения (E_on) | 1.8 мДж |
| Энергия выключения (E_off) | 1.0 мДж |
| Скорость переключения | Высокая |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Диапазон температур | -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Быстрый обратный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120BND (STMicroelectronics)
• IXGH32N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Рекомендуемые замены в зависимости от применения:

• APT33GF120JRD (аналог с улучшенными характеристиками)
• APT30GF120BR (близкий по параметрам, но с меньшим током)
• APT50GF120BRG (более мощная версия, 50 А)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и двигатели
• Индукционный нагрев

Если требуется полный datasheet, его можно найти на сайтах Microsemi, ON Semiconductor или Mouser/Digikey.

Нужны уточнения или дополнительные параметры?