IGBT BSM150GAL120D

Артикул: 296963
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM150GAL120D
Описание IGBT модуля BSM150GAL120D
BSM150GAL120D – это IGBT-модуль с номинальным током 150 А и напряжением 1200 В, разработанный для мощных инверторных и преобразовательных применений. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды), что делает его подходящим для мостовых схем (например, полумостовых конфигураций).
Технические характеристики
- Производитель: SEMIKRON
- Тип модуля: Двухключевой (Half-Bridge)
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC): 150 А (при 25°C)
- Ток коллектора (IC): 75 А (при 100°C)
- Максимальная импульсная мощность (Ptot): 600 Вт
- Падение напряжения (VCE(sat)): 2,1 В (тип.)
- Время включения/выключения (ton/toff): 80 нс / 400 нс
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,12 K/Вт
- Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C
- Корпус: Изолированный (SEMITOP)
Аналоги и совместимые модели
Парт-номера и аналоги:
- SEMIKRON:
- BSM150GB120DN2
- BSM150GAL120DN2
- SKM150GB12T4 (альтернатива от SEMIKRON)
- Infineon: FF150R12RT4
- Mitsubishi (Toshiba): CM150DY-12S
- Fuji Electric: 2MBI150U4A-120
Совместимые модели (для замены в схемах):
- Полумостовые IGBT модули на 1200 В, 150 А:
- Infineon FF150R12RT4
- Mitsubishi CM150DY-12S
- Fuji 2MBI150U4A-120
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и характеристики корпуса, так как у разных производителей могут быть отличия в монтажных параметрах.