IGBT BSM150GAL120D

Описание IGBT модуля BSM150GAL120D

BSM150GAL120D – это IGBT-модуль с номинальным током 150 А и напряжением 1200 В, разработанный для мощных инверторных и преобразовательных применений. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды), что делает его подходящим для мостовых схем (например, полумостовых конфигураций).

Технические характеристики

• Производитель: SEMIKRON
• Тип модуля: Двухключевой (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 600 Вт
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 80 нс / 400 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 K/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C
• Корпус: Изолированный (SEMITOP)

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• SEMIKRON:
  • BSM150GB120DN2
  • BSM150GAL120DN2
  • SKM150GB12T4 (альтернатива от SEMIKRON)
• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi (Toshiba): CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-120

Совместимые модели (для замены в схемах):

• Полумостовые IGBT модули на 1200 В, 150 А:
  • Infineon FF150R12RT4
  • Mitsubishi CM150DY-12S
  • Fuji 2MBI150U4A-120

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и характеристики корпуса, так как у разных производителей могут быть отличия в монтажных параметрах.