IGBT BSM150GB120DN2B

Описание IGBT модуля BSM150GB120DN2B

BSM150GB120DN2B – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе и содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами (NPT-технология), что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Производитель | Infineon Technologies | | Тип модуля | Двухключевой IGBT (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Встроенный диод | Да (FRD) | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | 62mm (ModSTACK) | | Вес | ~140 г |

Part Numbers (Аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги (Infineon):

• BSM150GB120DN2 (устаревшая версия без "B")
• BSM150GB120DLC (с улучшенными характеристиками)

Аналоги других производителей:

• SEMiX150GB12T4D (Semikron)
• FZ150R12KE3 (Infineon, другой форм-фактор)
• CM150DY-12NF (Mitsubishi Electric)
• MG150Q1US41 (Toshiba)

Совместимые модели в схемах (зависит от применения):

• BSM75GB120DN2 (75A, меньше ток)
• BSM200GB120DN2 (200A, выше ток)
• BSM150GB60DN2 (600V, меньше напряжение)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой на аналог необходимо проверить:
🔹 Распиновку корпуса
🔹 Напряжение и токовые характеристики
🔹 Тепловые параметры

Если нужна более точная информация по заменам, уточните условия эксплуатации.