IGBT BSM200GA100D-1000V

Описание IGBT модуля BSM200GA100D

Производитель: Infineon Technologies (ранее Siemens Semiconductors)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (FRD)
Напряжение: 1000 В
Ток коллектора (IC): 200 А
Корпус: модуль с изолированным основанием (Insulated Baseplate)
Применение: мощные инверторы, промышленные приводы, сварочное оборудование, системы электропитания

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 200 А
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 120 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 400 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Диод обратного восстановления: интегрированный (FRD)
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Тепловые параметры:

• Максимальная температура перехода (T_j): 150 °C
• Температура хранения: от -40 °C до +125 °C

Механические параметры:

• Корпус: модуль 62 мм (половинная плата)
• Вес: ~200 г
• Материал основания: изолированная металлическая подложка

Аналоги и совместимые модели

Прямые замены (парт-номера Infineon):

• BSM200GB100D (аналог с улучшенными характеристиками)
• BSM200GD100DLC (более современная версия)

Совместимые модели других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI200U4A-100
• Mitsubishi Electric: CM200DU-12NFH
• SEMIKRON: SKM200GB100D

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Если требуется дополнительная информация по аналогам или спецификациям, уточните детали.