IGBT BSM200GB120DLC_E3256

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM200GB120DLC_E3256
Описание IGBT модуля BSM200GB120DLC_E3256
BSM200GB120DLC_E3256 – это двухуровневый IGBT-модуль с интегрированным диодом обратного хода (антипараллельный диод), разработанный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Производитель | Infineon Technologies (бывший Siemens Semiconductors) | | Тип модуля | IGBT + диод (2-Level) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | до 400 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | до 1000 Вт (с охлаждением) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.1 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.12 К/Вт | | Диапазон рабочих температур (Tj) | от -40°C до +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием (Insulated Baseplate) | | Вес | ~200 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и заменители:
- BSM200GB120DLC (основной номер без суффикса)
- BSM200GB120DLC_E3256 (версия с уточненными параметрами)
- BSM200GB120DN2 (альтернативная версия от Infineon)
- CM200DY-24A (Mitsubishi Electric)
- FZ200R12KE3 (Infineon)
Совместимые модели (по характеристикам):
- SKM200GB128D (Semikron)
- FF200R12KE3 (Infineon, с улучшенными параметрами)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Электроприводы и сервосистемы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Инверторы для возобновляемой энергетики
Модуль требует качественного теплоотвода и правильного монтажа для обеспечения долговечности.
Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!