IGBT BSM25GD120D

Описание и технические характеристики IGBT модуля BSM25GD120D

BSM25GD120D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2x IGBT + диоды) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 15 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 290 нс |
| Диод восстановления (t_rr) | 150 нс |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 34-выводный, изолированный (DIP) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Infineon / Eupec):

• BSM25GDL120DN2 – аналог с улучшенными характеристиками
• BSM25GB120DN2 – аналогичный модуль в той же серии
• BSM25GP120 – версия с другим корпусом

Совместимые / альтернативные модели от других производителей:

• FGA25N120ANTD (Fairchild / ON Semiconductor) – одиночный IGBT, но с близкими параметрами
• CM75DY-24H (Mitsubishi) – более мощный аналог (75 А, 1200 В)
• SKM75GB128D (Semikron) – модуль в схожем форм-факторе

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные источники питания
• Сварочные аппараты
• Системы управления промышленным оборудованием

Если требуется замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также конструктивное исполнение.