IGBT BSM75GB170DN2

Описание IGBT модуля BSM75GB170DN2

BSM75GB170DN2 – это двухканальный IGBT-модуль с диодом обратного хода (антипараллельный диод), разработанный для мощных инверторных и импульсных приложений. Модуль предназначен для использования в промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочных инверторах и других системах силовой электроники.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------------------------| | Тип модуля | 2 в 1 (два IGBT + два диода) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Ток коллектора (I_C при 25°C) | 75 А | | Ток коллектора (I_C при 80°C) | 50 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,4 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 65 нс | | Время выключения (t_off) | 380 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,21 °C/Вт | | Диод обратного хода | Встроенный, 75 А, 1700 В | | Корпус | 34 мм (SEMITRANS 2) | | Рабочая температура | -40°C … +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль BSM75GB170DN2 может заменяться или использоваться совместно со следующими аналогами:

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R17KE3
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI75N-170
• Semikron: SKM75GB170D

Похожие модули от SEMIKRON (линейка BSM):

• BSM50GB170DN2 (50 А, 1700 В)
• BSM100GB170DN2 (100 А, 1700 В)
• BSM75GD120DN2 (75 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы
• Электромобильные зарядные устройства

Модуль BSM75GB170DN2 обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых преобразовательных системах благодаря низким потерям и хорошему тепловому управлению.

Если нужна дополнительная информация, уточните детали!