IGBT CM100E3Y24H

Описание IGBT CM100E3Y24H

IGBT CM100E3Y24H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, промышленных приводов и систем управления электродвигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой перегрузочной способностью и надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge или другой конфигурации) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300–400 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0–2.5 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс (уточняется по даташиту) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Стандартный модульный (например, 62 мм или аналог) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4, FZ100R12KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H, CM100E3U-24H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Похожие модели (с проверкой распиновки):

• CM100E3U-24H (аналог с другим корпусом)
• CM100DY-24H (альтернатива от Mitsubishi)
• CM100DU-24H (другая конфигурация)

Примечание

Рекомендуется уточнять параметры по официальному даташиту (например, Mitsubishi Electric или другого производителя), так как характеристики могут отличаться в зависимости от партии и модификации.

Если нужна помощь с поиском документации или подбором аналогов, уточните сферу применения!