IGBT CM75E3Y-12F

Описание IGBT CM75E3Y-12F

IGBT CM75E3Y-12F – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем хорошее охлаждение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный, модульный (например, TO-247 или аналогичный) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH75N120B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• IRG7PH42UD1 (Infineon)
• STGW75HF12S (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• CM75DY-12H (аналог с другим тепловым сопротивлением)
• CM75E3U-12F (версия с улучшенными динамическими параметрами)
• CM100E3Y-12F (100А аналог)

Примечание по замене

При замене на аналог важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Наличие встроенного диода
• Тепловые параметры (R_th(j-c))

Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты производителей.