IGBT DH2F200N4dawin

Описание IGBT модуля DH2F200N4Dawin

Модель: DH2F200N4Dawin
Производитель: Dawin
Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Назначение: Мощные импульсные преобразователи, инверторы, системы управления электродвигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и промышленные приводы.

Технические характеристики

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 400 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А
• Ток коллектора при пиковой нагрузке (I_CM): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт (при T_c = 25°C)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: модульный (изолированный)
• Тип монтажа: винтовой (для радиатора)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R04KT3
• Mitsubishi: CM200DY-24NF
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-060
• Semikron: SKM200GB12T4
• STMicroelectronics: STGW200NC40WD

Похожие модели Dawin:

• DH2F150N4Dawin (150 А, 400 В)
• DH2F300N4Dawin (300 А, 400 В)
• DH2F200N6Dawin (200 А, 600 В)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Рекомендуется использовать с подходящим радиатором для эффективного охлаждения.
• Для точного подбора аналога сверяйте datasheet производителя.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схемы подключения или спецификации), уточните запрос.