IGBT DM2G100SH6A

IGBT DM2G100SH6A
IGBT DM2G100SH6A
Артикул: 297797
Под заказ
цена: 4 900
цена актуальна на: 12.07.2022
  • от 10шт - скидка 5%
  • от 30шт - скидка 10%

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT DM2G100SH6A

IGBT DM2G100SH6A — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике. IGBT сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление и быстродействие) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии).

Основные характеристики IGBT DM2G100SH6A:

  1. Напряжение коллектор-эмиттер (V<sub>CES</sub>): 600 В

  2. Ток коллектора (I<sub>C</sub>): 100 А

  3. Максимальная рассеиваемая мощность (P<sub>tot</sub>): Зависит от условий эксплуатации, обычно указывается в datasheet.

  4. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V<sub>CE(sat)</sub>): Обычно в диапазоне 1,5–2,5 В (точное значение зависит от тока и температуры).

  5. Время включения (t<sub>on</sub>) и выключения (t<sub>off</sub>): Характеризует быстродействие транзистора.

  6. Температурный диапазон: Обычно от -40 °C до +150 °C (зависит от производителя).

  7. Корпус: Часто выполняется в корпусе TO-247 или аналогичном, что обеспечивает хороший теплоотвод.

Применение:

IGBT DM2G100SH6A используется в:

  • Преобразователях частоты,

  • Инверторах,

  • Системах управления электродвигателями,

  • Источниках бесперебойного питания (ИБП),

  • Сварочных аппаратах,

  • Солнечных инверторах.

Особенности:

  • Высокая эффективность благодаря низкому V<sub>CE(sat)</sub>.

  • Быстрое переключение, что позволяет снизить потери в высокочастотных схемах.

  • Надежность и устойчивость к перегрузкам.

Парт номера для IGBT DM2G100SH6A

DM2G100SH6A

Товары из этой же категории