IGBT DM2G100SH6A
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT DM2G100SH6A
IGBT DM2G100SH6A — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике. IGBT сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление и быстродействие) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии).
Основные характеристики IGBT DM2G100SH6A:
Напряжение коллектор-эмиттер (V<sub>CES</sub>): 600 В
Ток коллектора (I<sub>C</sub>): 100 А
Максимальная рассеиваемая мощность (P<sub>tot</sub>): Зависит от условий эксплуатации, обычно указывается в datasheet.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V<sub>CE(sat)</sub>): Обычно в диапазоне 1,5–2,5 В (точное значение зависит от тока и температуры).
Время включения (t<sub>on</sub>) и выключения (t<sub>off</sub>): Характеризует быстродействие транзистора.
Температурный диапазон: Обычно от -40 °C до +150 °C (зависит от производителя).
Корпус: Часто выполняется в корпусе TO-247 или аналогичном, что обеспечивает хороший теплоотвод.
Применение:
IGBT DM2G100SH6A используется в:
Преобразователях частоты,
Инверторах,
Системах управления электродвигателями,
Источниках бесперебойного питания (ИБП),
Сварочных аппаратах,
Солнечных инверторах.
Особенности:
Высокая эффективность благодаря низкому V<sub>CE(sat)</sub>.
Быстрое переключение, что позволяет снизить потери в высокочастотных схемах.
Надежность и устойчивость к перегрузкам.
Парт номера для IGBT DM2G100SH6A
DM2G100SH6A