IGBT FF150R12KS4B2

Описание IGBT-модуля FF150R12KS4B2

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverse Diode)
Конфигурация: Двухключевой модуль (Half-Bridge)
Назначение: Преобразователи частоты, промышленные приводы, сварочное оборудование, системы возобновляемой энергетики.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 150 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 560 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 150 А) |
| Время включения (t_on) | 85 нс |
| Время выключения (t_off) | 420 нс |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Корпус | 62 мм (EconoDUAL™ 2) |

Встроенные диоды

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Прямой ток (I_F) | 150 А |
| Прямое падение напряжения (V_F) | 1,7 В |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Infineon

• FF150R12KT4 (аналог с другим корпусом)
• FF150R12KS4 (предыдущая версия без "B2")
• FF150R12KE3 (альтернатива с улучшенными характеристиками)

Аналоги других производителей

• SEMiX151GD126HDs (Semikron)
• CM150DY-12NF (Mitsubishi)
• FZ150R12KE3 (Fuji Electric)

Примечания по замене

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса.
• Тепловые и электрические параметры.
• Наличие встроенного диода.

Модуль FF150R12KS4B2 отличается высокой надежностью и часто используется в мощных инверторах и промышленных системах. Рекомендуется проверять datasheet перед заменой на альтернативную модель.

Для точного подбора аналогов лучше использовать инструменты подбора на сайтах производителей (Infineon, Semikron, Mitsubishi).