IGBT FF225R17ME4_B11

IGBT FF225R17ME4_B11: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT FF225R17ME4_B11 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для мощных преобразовательных устройств, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный диод обратного восстановления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Производитель | Infineon Technologies | | Тип IGBT | TrenchStop™ 7 | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Ток коллектора (I_C при 25°C) | 225 А | | Ток коллектора (I_C при 80°C) | 150 А | | Импульсный ток (I_CM) | 450 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 1700 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 330 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C…+175°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,07 К/Вт | | Корпус | модуль (62 мм) | | Вес | ~200 г |

Встроенный диод (FWD)

• Напряжение (V_RRM): 1700 В
• Ток (I_F): 225 А

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера Infineon:

• FF225R17ME4
• FF225R17ME4_B11 (версия с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM225DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI225U4A-170
• SEMIKRON: SKM225GB17E4

Аналоги с близкими параметрами (проверять распиновку!):

• Infineon FF200R17KE3 (200 А, 1700 В)
• Infineon FF300R17ME4 (300 А, 1700 В)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса
• Параметры встроенного диода
• Рабочую температуру и условия охлаждения

Для точного подбора аналога рекомендуется обращаться к даташитам производителей.