IGBT FP75R120KE3

Описание IGBT модуля FP75R120KE3

FP75R120KE3 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразовательных систем. Модуль объединяет транзисторы IGBT с диодами обратного хода (антипараллельные диоды) и обеспечивает высокую эффективность в силовых электронных устройствах, таких как:

• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобильные зарядные станции

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 450 Вт | | Время включения (t_on) | 32 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Диапазон температур (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | EconoPACK™ 3 | | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FP75R12KE3, FP75R12KT3
• Mitsubishi: CM75DY-12S
• Fuji Electric: 6MBP75RA120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модули в других линейках:

• EconoPACK™ 2: FP50R12KE3 (50A, 1200V)
• EconoPACK™ 4: FP100R12KT4 (100A, 1200V)

Примечание

При замене модуля важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Тепловые характеристики (R_th)
• Тип корпуса и расположение выводов

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть FP100R12KT3 (100A, 1200V) или FP150R12KE3 (150A, 1200V).

Нужна дополнительная информация по применению или схемотехнике? Уточните запрос!