IGBT FP7G75

IGBT FP7G75: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT FP7G75 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, электроприводы и промышленная автоматизация. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для силовой электроники.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод
• Высокая температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В / 750 В (в зависимости от версии) | | Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) / ~40–50 А (при 100°C) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200–300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | ~50–100 нс | | Время выключения (t_off) | ~100–200 нс | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N65EH5, IKW75N60T
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD
• ON Semiconductor: FGH75N60SMD

Совместимые модули (в схожих корпусах и характеристиках):

• IRGP50B60PD1 (International Rectifier)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS)
• FGA75N60 (Fairchild/ON Semi)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобили и зарядные станции
• Солнечные инверторы

Если вам нужны точные данные для конкретного производителя или даташит, уточните модель (например, FP7G75U или FP7G75X), так как у разных брендов могут быть отличия.