IGBT FS35R12W1T4B11BOMA1EASY1B

Описание IGBT-модуля FS35R12W1T4B11BOMA1EASY1B

Модуль FS35R12W1T4B11BOMA1EASY1B — это IGBT-транзистор с кремниевой технологией, разработанный компанией Infineon Technologies. Он предназначен для мощных преобразователей энергии, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и промышленные системы управления. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его подходящим для тяжелых условий эксплуатации.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 35 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 70 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.85 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 220 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.35 °C/Вт

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение диода (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 35 А

Корпус и монтаж:

• Корпус: EASY1B (изолированный, с низкой индуктивностью)
• Монтаж: Винтовой (подходит для стандартных теплоотводов)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Infineon:

• FS35R12W1T4 (базовая версия без суффиксов)
• FS35R12W1T4BOMA1 (альтернативная маркировка)
• FS35R12KE3 (аналог с другими характеристиками корпуса)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM35DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI35S-120
• SEMIKRON: SKM35GB12T4

Замены (с проверкой параметров!):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• STGW35HF120W (STMicroelectronics)

Примечания

1. Перед заменой убедитесь в совпадении характеристик (особенно V_CES, I_C и корпуса).
2. EASY1B — серия корпусов Infineon с улучшенными тепловыми свойствами.
3. Для точного подбора используйте даташит (Infineon FS35R12W1T4).

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики зависимости тока от температуры), уточните запрос!