IGBT G30N60

Описание IGBT G30N60

G30N60 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (ИИП)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_CM) | 180 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.75 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений в схеме):

• IRG4PC30U (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH30N60 (IXYS/Littelfuse)

Частично совместимые модели (требуется проверка по datasheet):

• IRG4PH40U (600 В, 40 А)
• FGH30N60 (600 В, 30 А, TO-3PN)
• STGW30NC60WD (600 В, 30 А, TO-247)

Примечания

1. Терморежим: IGBT чувствителен к перегреву, рекомендуется использовать радиатор.
2. Защита: Для предотвращения пробоя из-за обратного напряжения рекомендуется использовать быстрые диоды (FRD) в индуктивных цепях.
3. Драйвер: Оптимальное напряжение затвора — 12–15 В.

Если нужна более точная замена, укажите конкретное применение (частотный диапазон, нагрузку).