IGBT GT20D101

IGBT GT20D101: Описание и технические характеристики

Общее описание

GT20D101 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (высокая мощность). Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1000 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 40 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при 20 А) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (при 25°C) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C | | Время включения (t_on) | ~50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | ~300 нс (тип.) | | Корпус | TO-3P (или аналогичный) | | Встроенный диод | Нет (требуется внешний обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги GT20D101 (прямые или близкие замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH20N120 (IXYS)
• CM20DY-24H (Mitsubishi)

Альтернативные модели с похожими характеристиками:

• GT20D101-ND (версия с улучшенными параметрами)
• GT20J101 (более мощный аналог)
• GT30J101 (30 А, 1000 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна более точная замена для конкретной схемы, уточните параметры (напряжение, ток, корпус).