IGBT Hgtg40n60b3

Описание IGBT HGTG40N60B3

HGTG40N60B3 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 80 А (при 25°C). Модуль разработан для высокоэффективных силовых приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, двигательные приводы и сварочное оборудование.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) = 2.1 В при 40 А).
• Быстрое переключение, что снижает потери.
• Встроенный антипараллельный диод (FRD).
• Высокая устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Напряжение V_CES | 600 В |
| Ток коллектора I_C (при 25°C) | 80 А |
| Ток коллектора I_C (при 100°C) | 40 А |
| Пиковый ток I_CM | 160 А |
| Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2.1 В (при 40 А) |
| Время включения t_d(on) | 18 нс |
| Время выключения t_d(off) | 145 нс |
| Диод прямой ток I_F | 40 А |
| Тепловое сопротивление R_θJC | 0.75 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semi)
• IXGH40N60C3D1 (IXYS)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (похожие параметры):

• HGTG30N60B3 (30 А, 600 В)
• HGTG50N60B3 (50 А, 600 В)
• HGTG20N60B3 (20 А, 600 В)

Примечание

При замене на аналоги необходимо учитывать:

• Токовую нагрузку и тепловые характеристики.
• Наличие встроенного диода.
• Условия работы (частоту переключений, охлаждение).

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть HGTG60N60B3 (60 А, 600 В).