IGBT IXGH6N170

Описание IGBT IXGH6N170

IXGH6N170 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства IXYS, предназначенный для высоковольтных и высокомощных применений. Прибор сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 6 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 3.5 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 12 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 3.5 В (при I_C = 6 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Скорость переключения | Средняя (оптимизирован для низких потерь) |
| Корпус | TO-247 (стандартный) |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги и замены:

• IXGH8N170 (8 А, 1700 В)
• IXGH10N170 (10 А, 1700 В)
• IRG4PC50UD (IR, 600 В, но схожий корпус и характеристики)
• HGTG20N60C3 (Fairchild, 600 В, но может использоваться в некоторых схемах)

Аналоги от других производителей:

• STGW30H170D (STMicroelectronics, 1700 В, 30 А)
• FGA25N170ANTD (Fairchild/ON Semi, 1700 В, 25 А)

Применение

• Высоковольтные инверторы
• Импульсные источники питания
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование

Заключение

IXGH6N170 подходит для применений, требующих высокого напряжения и умеренного тока. При замене на аналоги следует учитывать ток, напряжение и тепловые характеристики.

Если нужны более современные аналоги, можно рассмотреть IGBT с улучшенными параметрами, например, IXGH10N170 или STGW30H170D.