IGBT IXSN35N120AU1

Описание IGBT IXSN35N120AU1

IXSN35N120AU1 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 35 А. Этот компонент предназначен для высоковольтных и высокочастотных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, импульсных источников питания и других мощных электронных устройств.

IGBT сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение VCES | 1200 В | | Ток коллектора (IC @25°C) | 35 А | | Ток импульсный (ICM) | 70 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (при IC=35A, VGE=15V) | | Энергия переключения (Eoff) | ~3.5 мДж (типовое) | | Скорость переключения | Высокая (до десятков кГц) | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.6 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS IXGN35N120B3
• Infineon IKW35N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor) FGA35N120ANTD
• STMicroelectronics STGW35HF120WD

Совместимые модели (с проверкой по datasheet):

• IXGH35N120B3 (альтернатива от IXYS)
• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 40A)
• APT35GR120J (Microsemi, требует проверки по характеристикам)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Системы плавного пуска (Soft Start)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется сверить VCE(sat), заряд затвора (Qg) и тепловые параметры в datasheet.