IGBT IXYN82N120C3

Описание IGBT IXYN82N120C3

IXYN82N120C3 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением 1200 В и током 82 А, разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 82 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 164 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 82 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 360 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Корпус | TO-264 | | Время переключения | t_on = 55 нс, t_off = 320 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXYN82N120C3H1 (версия с улучшенными характеристиками)
• IXYH82N120C3 (альтернативный вариант от IXYS)

Функционально совместимые модели:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW40N120H3
• STMicroelectronics: STGW80H120DF, STGW40H120DF
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM600DU-24NFH

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять параметры V_CES, I_C и корпус.

Нужна дополнительная информация или помощь с выбором аналога?