IGBT IXYN82N120C3H1

Описание IGBT IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультранизким падением напряжения в открытом состоянии (Ultralow V_CE(sat)), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Низкое насыщающее напряжение V_CE(sat)
• Быстрое переключение и низкие потери
• Встроенный антипараллельный диод
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 82 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 160 А |
| Насыщающее напряжение V_CE(sat) (при I_C = 82 А) | 2.1 В |
| Энергия включения (E_on) | 3.8 мДж |
| Энергия выключения (E_off) | 1.7 мДж |
| Встроенный диод (FWD) | Да |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW82N120H3 (близкий аналог)
• STMicroelectronics: STGW80H120DF3
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50
• Mitsubishi: CM100DY-24H

Cross-reference (альтернативные варианты от других производителей):

• IXYS (Littelfuse): IXGH82N120C3 (устаревшая версия)
• ON Semiconductor: FGH82N120SMD

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.