IGBT LGX050F60

Описание IGBT модуля LGX050F60

LGX050F60 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высокой мощностью, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что обеспечивает высокий КПД.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------------|-----------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge) |
| Максимальное напряжение | 600 В |
| Номинальный ток (IC) | 50 A (при 25°C) |
| Пиковый ток (ICM) | 100 A |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~150 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены LGX050F60 могут включать:

• IXYS IXGN50N60
• Infineon IRG4PC50UD
• Fairchild FGA50N60
• STMicroelectronics STGW50NC60WD
• Mitsubishi CM50DY-12H
• Toshiba MG50Q1BS41

Эти модели имеют схожие характеристики по току, напряжению и корпусу, но перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам.

Применение

• Инверторы и частотные приводы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Если вам нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос.