IGBT MG150J2YS11

Описание IGBT MG150J2YS11

MG150J2YS11 — это мощный IGBT-транзистор с обратным диодом (NPT-типа), разработанный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой надежностью, низкими динамическими потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT с обратным диодом (NPT, Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (3-выводной) |
| Производитель | Toshiba (возможны аналоги других брендов) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналоги):

• Toshiba: MG150J2YS11 (оригинал)
• Infineon: IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• Mitsubishi: CM150DY-12S

Совместимые модели (по характеристикам):

• MG100J2YS11 (100 А, 1200 В)
• MG200J2YS11 (200 А, 1200 В)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 55 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями

Примечание

При замене на аналог рекомендуется проверять разводку выводов и параметры динамических характеристик, так как они могут отличаться у разных производителей.

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или применению — уточните!