IGBT MG50J6ES53

IGBT MG50J6ES53: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT MG50J6ES53 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные характеристики:

• Тип: IGBT модуль (NPT, Trench-Gate)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3-контактный)

Парт-номера и аналоги:

• Оригинал: MG50J6ES53
• Аналоги:
  • IRG4PC50UD (International Rectifier)
  • FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG50N60B3 (Microsemi)
  • STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (зависит от схемы):

• В инверторах: может заменяться на MG50J6ES50 (если допустимо снижение напряжения).
• В драйверах двигателей: совместим с сериями Mitsubishi CM50DY-xx.

Примечание:

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики управления, так как у аналогов могут отличаться параметры V_GE и динамические характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос!