IGBT MG75J2YS50

Описание IGBT MG75J2YS50

IGBT MG75J2YS50 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных системах.

Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и эффективным теплоотводом благодаря корпусу с изолированным основанием.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип | IGBT + диод (часто в одном модуле) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | до 300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (типовое) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный изолированный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW75N120H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA75N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Совместимые модели в схожих корпусах:

• IR (Infineon): IRG7PH50UD1
• Toshiba: MG75Q2YS50 (более новая версия)
• Fuji Electric: 2MBI75N-120

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров по току, напряжению и характеристикам переключения.