IGBT MG75Q2YS11

Описание IGBT MG75Q2YS11

MG75Q2YS11 — это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных силовых преобразований в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль интегрирует IGBT-транзисторы и диоды в едином корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора (макс. импульсный) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при ном. токе) | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C…+150°C | | Корпус | модуль (Isolated), 6-контактный | | Схема внутренней компоновки | Транзистор IGBT + антипараллельный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальный номер и аналоги:

• MG75Q2YS11 (оригинал, Mitsubishi или другой производитель)
• CM75DY-12H (Powerex)
• FF75R12RT4 (Infineon)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Совместимые модели (по характеристикам):

• FGA75N60 (Fairchild)
• IXGH75N60B3 (IXYS)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

Применение

• Частотные приводы
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные преобразователи

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и тепловые параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкци.

Если у вас есть конкретное устройство, где используется этот модуль, уточните его модель — возможно, есть более точные аналоги.