IGBT MII75-12A3

Описание IGBT модуля MII75-12A3

IGBT модуль MII75-12A3 — это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды, что обеспечивает эффективное управление мощной нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В |
| Время включения (t_on) | ≤ 150 нс |
| Время выключения (t_off) | ≤ 500 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Корпус | модульный (изолированный) |
| Схема включения | полумост (2 IGBT + 2 диода) |

Парт-номера и аналогичные модели

Оригинальный номер:

• MII75-12A3 (производитель: возможно, Mitsubishi или другой бренд, уточните datasheet)

Совместимые аналоги:

• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• FF75R12KE3 (Infineon)
• SKM75GB12T4 (Semikron)
• MG75Q2YS40 (Littelfuse)

Применение

Модуль используется в:

• Промышленных инверторах
• Частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Управлении электродвигателями

Примечание: Рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться. Если модуль устарел, лучше подбирать современные аналоги с улучшенными характеристиками.

Нужна дополнительная информация? Уточните производителя, и я помогу найти точные аналоги!