IGBT MP6750

Описание IGBT MP6750

IGBT MP6750 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Основные сферы применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы электропередачи (HVDC)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 150 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 75 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели от других производителей:

• Infineon: IKW75N60T
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Парт-номера в различных линейках (возможные модификации MP6750):

• MP6750G (с улучшенной термостабильностью)
• MP6750H (высоковольтная версия, 650 В)
• MP6750S (с низким V_CE(sat))

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверять разводку выводов и рабочие характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если вам нужна точная замена, уточните производителя оригинального компонента.