IGBT MUBW50-06A7

Описание IGBT MUBW50-06A7

MUBW50-06A7 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для использования в силовой электронике. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Корпус модуля обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию, что позволяет использовать его в высоковольтных и сильноточных приложениях.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 50 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 30 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 130 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры внутренних диодов:

• Прямое падение напряжения (V_F): 1,5 В (тип.)
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Термические характеристики:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда (R_th(j-a)): 40 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• MUBW50-06A7 (оригинал)
• STGW50NC60V (STMicroelectronics)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модули в аналогичном корпусе:

• MUBW50-12A7 (1200 В, 50 А)
• MUBW30-06A7 (600 В, 30 А)
• SKM50GB063D (Semikron, 600 В, 50 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль MUBW50-06A7 подходит для замены в схемах, где требуются аналогичные параметры по току и напряжению. При выборе аналога важно учитывать температурные режимы и условия эксплуатации.

Если вам нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос.