IGBT p085a2004

IGBT P085A2004: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT P085A2004 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую скорость переключения, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его популярным в промышленных применениях.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 200 В (макс.) |
| Ток коллектора (I_C) | 85 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 170 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 100 нс (тип.) |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги и замены:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG20N60A4D (Infineon)
  • STGW30H200D (STMicroelectronics)
• Совместимые модули в схемах:
  • P085A2004 (возможны вариации от производителей: Mitsubishi, Fuji, Toshiba)
  • CM75DY-24H (для схожих параметров в модульной сборке)

Примечания

• Для точной замены рекомендуется проверять datasheet и схемотехнику, так как параметры V_CES и I_C могут варьироваться.
• При монтаже важно соблюдать рекомендации по терморежимам (использовать термопасту и радиаторы).

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или применение в конкретных устройствах), уточните запрос!