IGBT P211D0402

Описание IGBT P211D0402

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) P211D0402 – это силовой транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Он широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других устройствах силовой электроники.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратных напряжений.
• Надежная изоляция корпуса для удобства монтажа на теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 21 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 42 А |
| Макс. мощность (P_tot) | 75 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 21 А) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 35 нс / 110 нс |
| Корпус | TO-247 (возможны варианты) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• STGW40H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH40N60B3D1 (Littelfuse/IXYS)
• APT40GF120JU2 (Microchip)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и рабочие параметры в конкретной схеме.