IGBT PCBSM10GD120DN2E

Описание IGBT PCBSM10GD120DN2E

IGBT PCBSM10GD120DN2E – это высоковольтный IGBT-модуль с интегрированным диодом, предназначенный для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модуль выполнен в компактном корпусе с низкой индуктивностью, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе.

Ключевые технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C), 20 А (пиковый) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 10 А) | | Встроенный диод (FWD) | Да (быстрый диод) | | Напряжение диода (V_F) | 1,7 В (при I_F = 10 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт | | Температура хранения | от -40°C до +150°C | | Рабочая температура | от -40°C до +125°C | | Корпус | PCBSM (изолированный, с винтовыми клеммами) |

Парт-номера и совместимые модели

• Аналоги от Infineon:
  • IKW10N120H3 (отдельный IGBT, без диода)
  • IKW15N120H3 (15 А, 1200 В)
• Аналоги от STMicroelectronics:
  • STGW10NC120HD (10 А, 1200 В, с диодом)
• Аналоги от Mitsubishi:
  • CM10DY-12H (10 А, 1200 В, модуль)
• Аналоги от Fuji Electric:
  • 2MBI10U4B-120 (10 А, 1200 В, модуль)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Инверторы и источники питания
• Сварочные аппараты
• Промышленные силовые устройства

Модуль PCBSM10GD120DN2E подходит для замены в схемах, где требуется IGBT с напряжением 1200 В и током до 10 А. Проверяйте распиновку и характеристики перед заменой!

Если нужны более точные параметры (например, динамические характеристики), уточняйте в даташите производителя (Infineon или другой бренд).