IGBT PCBSM25GP120_B2

Описание IGBT модуля SM25GP120_B2

SM25GP120_B2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 25 А и напряжением 1200 В, предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов и драйверов двигателей. Модуль имеет компактную конструкцию с низким тепловым сопротивлением, что обеспечивает эффективное управление мощностью в промышленных и силовых электронных системах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 25 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.1 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.35 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модульный (например, 25A-1200V) |

Парт-номера и альтернативные модели

Оригинальный номер:

• SM25GP120_B2

Аналоги и совместимые модели:

• Infineon: FF25R12KT3, FF25R12KE3
• Mitsubishi (Powerex): CM25DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI25U-120
• Semikron: SKM25GB12T4
• STMicroelectronics: STGW25H120DF2
• Toshiba: MG25Q2YS40

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и габаритах.

Если вам нужны дополнительные данные (например, внутренняя схема или графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.