IGBT PS12012

Описание IGBT модуля PS12012

IGBT PS12012 — это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при коммутации и хорошую термостабильность.

Основные технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (DUAL)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 12 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 24 А (при 100°C, с учетом перегрузки)
• Мощность (P_tot): до 150 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температура хранения: от -40°C до +125°C
• Корпус: модульный, изолированный (например, TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKQ120N120T
• Fuji Electric: 2MBI120U2A-120
• Mitsubishi: CM120DU-12NFH
• Semikron: SKM120GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Совместимые модели (по характеристикам):

• PS12010 (10 А, 1200 В)
• PS12015 (15 А, 1200 В)
• PS12020 (20 А, 1200 В)

Модуль PS12012 может использоваться в схемах управления двигателями, импульсных источниках питания и других силовых приложениях, где требуется высокая надежность и эффективность.

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или применению — уточняйте!