IGBT PT10116

Описание IGBT PT10116

IGBT PT10116 — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Промышленные приводы
• Управление электродвигателями
• Системы питания и UPS

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|-----------------------------|
| Макс. напряжение VCES | 600 В (или 1200 В, уточните модель) |
| Ток коллектора IC | 100 А (при 25°C) |
| Ток импульсный ICM | 200 А |
| Падение VCE(sat) | ~1.8 В (при IC = 100 А) |
| Рассеиваемая мощность| 300 Вт |
| Температура перехода | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны вариации) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N60A4D (Renesas)
• IXGH32N60B3D1 (IXYS)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в линейке PT:

• PT10115 (менее мощный аналог)
• PT10117 (более высокий ток/напряжение)

Примечание

Уточните точные параметры PT10116, так как в разных источниках могут быть различия в характеристиках. Для точного подбора аналога проверяйте даташит производителя.

Если у вас есть дополнительные данные (производитель, даташит), могу уточнить информацию.