IGBT QM150E3Y-HE

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM150E3Y-HE
Описание IGBT QM150E3Y-HE
QM150E3Y-HE – это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Powerex (Mitsubishi Electric), предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В).
- Большой ток коллектора (IC = 150 А).
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)).
- Быстрое переключение и низкие динамические потери.
- Встроенный диод обратного восстановления (FRD).
- Корпус 1MBI150XHE-120-50 (изолированный, для монтажа на радиатор).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 150 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 300 А | | Рассеиваемая мощность (PD) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.5 В (при 75 А, 25°C) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.21 °C/Вт | | Корпус | 1MBI150XHE-120-50 (изолированный модуль) | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и заменители:
- Mitsubishi:
- CM150E3Y-12H
- CM150DY-12H
- CM150DY-24H (аналог с VCES = 1200 В, но другой корпус)
- Infineon:
- FF150R12KE3
- FF150R12KT3
- Fuji Electric:
- 2MBI150U4A-120
- 2MBI150U4B-120
- SEMIKRON:
- SKM150GB12T4
Рекомендуемые драйверы:
- M57962L (Mitsubishi)
- HCPL-316J (Broadcom)
- 2ED020I12-F (Infineon)
Применение
- Промышленные инверторы
- Частотные преобразователи
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочные аппараты
- Электроприводы
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с производителем, так как параметры могут незначительно отличаться.