IGBT QM150HY-HD

Описание IGBT QM150HY-HD

QM150HY-HD – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип | IGBT модуль (N-канал) + диод |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (HD-серия) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги QM150HY-HD:

• Fuji Electric: 2MBI150U4A-120
• Infineon: FF150R12KT4
• Mitsubishi: CM150HY-12H
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели (с близкими параметрами):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG150Q1US41
• IXYS: IXGH150N120B3

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Промышленные электроприводы

Примечание

При замене аналогами учитывайте разводку выводов и тепловые характеристики. Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей или данные по охлаждению), уточните запрос!