IGBT QM50E2YH

IGBT QM50E2YH: Описание и технические характеристики

Общее описание

QM50E2YH — это IGBT-транзистор с напряжением 1200 В и током коллектора 50 А, предназначенный для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов, источников питания и других силовых электронных устройств.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Ток коллектора (IC) до 50 А
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Встроенный быстрый диод для уменьшения потерь при коммутации
• Высокая устойчивость к коротким замыканиям
• Оптимизирован для частотной коммутации

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IXGH50N120B3 (IXYS)
• APT50GR120J (Microsemi)
• CM50E3Y (Mitsubishi Electric)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.