IGBT QM50E3Y2H
IGBT QM50E3Y2H — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение QM50E3Y2H, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM50E3Y2H
Описание IGBT QM50E3Y2H
QM50E3Y2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и других систем управления мощностью.
Модуль имеет встроенный обратный диод (FRD), что обеспечивает защиту от обратных токов. Корпус обеспечивает хорошее теплоотведение и электрическую изоляцию.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC @25°C): 50 А
- Ток коллектора (IC @100°C): 25 А
- Ток импульсный (ICM): 100 А
- Рассеиваемая мощность (Ptot): 200 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В (макс.)
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 2,1 В (тип.)
- Время включения (ton): 35 нс
- Время выключения (toff): 110 нс
- Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
Встроенный диод (FRD):
- Прямое напряжение (VF): 1,7 В (тип.)
- Время восстановления (trr): 120 нс
Тепловые параметры:
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,5 °C/Вт
- Корпус: TO-247 или аналогичный
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и заменители:
- Infineon: IKW50N120T2
- Fuji Electric: 2MBI50U4H-120
- Mitsubishi: CM50E3Y-12H
- STMicroelectronics: STGW50NC60WD
- IXYS: IXGH50N120B3
Похожие модели (с другими параметрами):
- QM30E3Y2H (30A, 1200V)
- QM75E3Y2H (75A, 1200V)
- QM50E2Y2H (50A, 600V)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Импульсные блоки питания
- Управление электродвигателями
- Солнечные инверторы
Если нужны дополнительные параметры (такие как графики зависимостей или точные электрические характеристики), уточните — предоставлю более детальную информацию.
Дополнительная информация
IGBT QM50E3Y2H предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — QM50E3Y2H. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.
#IGBT #IGBTМодуль #QM50E3Y2H #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов