IGBT QM50TB-2HB

Описание IGBT QM50TB-2HB

QM50TB-2HB – это IGBT-транзистор с высокой переключательной способностью, предназначенный для применения в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет встроенный обратный диод, что упрощает схемотехнику и повышает надежность работы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) при I_C = 50 А | | Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N120B3D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N120B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (по характеристикам):

• QM75GB-2HB (75 А, 1200 В)
• QM30TA-2H (30 А, 1200 В)
• SKM50GB12T4 (Semikron, модуль IGBT)

Примечание: Перед заменой рекомендуется проверить схему на соответствие параметров, особенно напряжение и ток.

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или применению, уточните детали.