IGBT QM75DY2H-ZL02

Описание IGBT QM75DY2H-ZL02

QM75DY2H-ZL02 – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе Dual (2 в 1), предназначенный для высокоэффективных преобразователей частоты, импульсных источников питания, сварочных инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль интегрирует два IGBT с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую надежность и компактность конструкции.

Производитель: Mitsubishi Electric (возможен аналог от других брендов).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + Diode (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @ 25°C) | 75 А | | Ток коллектора (IC @ 80°C) | 50 А | | Импульсный ток (ICM) | 150 А | | Мощность рассеяния (Ptot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение затвора (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1.85 В (при 75 А) | | Время включения (ton) | ~45 нс | | Время выключения (toff) | ~250 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Корпус | DIP-24 (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (Mitsubishi):

• QM75DY-2H (ближайший аналог)
• CM75DY-24H (схожие параметры)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75U2H-120
• Semikron: SKM75GB12T4
• IXYS: IXGH75N120B3

Cross-reference (альтернативные обозначения):

• QM75DY2H (без "-ZL02")
• QM75DY2H-Z (укороченная маркировка)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в параметрах и конструкции корпуса.

Если вам нужна спецификация на конкретный аналог, уточните производителя или условия эксплуатации.