IGBT QM75E2YHD

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM75E2YHD
Описание IGBT QM75E2YHD
IGBT QM75E2YHD – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Этот модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.
Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам. Модуль имеет встроенный антипараллельный диод, обеспечивающий защиту от обратных токов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 75 А (при 25°C) |
| Ток при 100°C | ~50 А (зависит от охлаждения) |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 250 нс |
| Температура хранения | от -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Вес | ~100 г (зависит от производителя)|
Парт-номера и совместимые аналоги
Оригинальные парт-номера:
- QM75E2YHD (оригинальный номер)
- QM75E2Y-1HD (возможная вариация)
Совместимые аналоги:
- Infineon:
- FF75R12KE3 (75A, 1200V)
- FF75R12KT3 (с улучшенными характеристиками)
- Fuji Electric:
- 2MBI75U2H-120 (75A, 1200V)
- Mitsubishi:
- CM75E2Y-12H (аналог с близкими параметрами)
- Semikron:
- SKM75GB12T4 (75A, 1200V)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Если нужна более точная информация по конкретному производителю (например, Mitsubishi или Infineon), уточните – помогу найти полный datasheet.