IGBT QM75E3YHD

Описание IGBT модуля QM75E3YHD

QM75E3YHD – это IGBT-модуль третьего поколения, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с быстрыми диодами, обеспечивая низкие потери при коммутации и высокую устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): ~50 А (при 100°C)
• Импульсный ток (I_CP): до 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,1 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~120 нс
• Температура хранения/эксплуатации: -40°C … +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,25 °C/Вт
• Корпус: модульный, изолированный (с керамической подложкой)
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12KE3
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Semikron: SKM75GB12T4
• IXYS: MIXA75PE1200

Парт-номера для замены (в зависимости от серии и производителя):

• QM75E3YHD (оригинал)
• QM75E3Y-HD (альтернативное обозначение)
• QMT75E3YHD (возможный вариант модификации)

Совместимые модели в схемах:

Модуль может заменяться на аналоги с близкими параметрами (1200 В, 50–100 А), но перед установкой необходимо проверять:

• Распиновку и схему подключения
• Напряжение и токовые характеристики
• Тип корпуса и крепление радиатора

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями

Если требуется точный аналог, рекомендуется сверяться с даташитами производителей или консультироваться с поставщиками.