IGBT RM100HA-12F

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT RM100HA-12F
Описание IGBT модуля RM100HA-12F
RM100HA-12F – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 100A и напряжением 1200V. Модуль разработан для использования в мощных преобразователях, инверторах, частотно-регулируемых приводах (ЧРП) и других силовых электронных устройствах.
Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики. Внутри содержатся два IGBT и два диода (обычно антипараллельные), что позволяет использовать его в мостовых схемах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 100 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (ICP) | 200 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.0 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~70 нс | | Время выключения (toff) | ~350 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Корпус | Стандартный модуль (например, 6-выводной) | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги и замены:
- RM100HA-12F (оригинальный номер)
- CM100HA-24H (от другого производителя, но с аналогичными характеристиками)
- SKM100GB12T4 (Semikron, возможна замена при проверке распиновки)
- FF100R12KT4 (Infineon, сходные параметры)
Альтернативные модели (с близкими характеристиками):
- PM100CSA120 (Mitsubishi)
- MG12100H-XBN2MM (Littelfuse)
- BSM100GB120DN2 (SEMIKRON)
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы для электродвигателей
- Сварочные аппараты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные системы управления
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и распиновку, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!